Тайваньские исследователи представили новый тип компьютерной памяти, получившей название RRAM или Resistive-RAM. Новая память в перспективе может заменить как высокоскоростную, но энергозависимую память DRAM, так и энергонезависимую, но значительно более медленную память NAND.

Напомним, что модули DRAM памяти используют в качестве решений для оперативной памяти в компьютерах и серверах, а NAND- или флеш-память в портативных электронных устройствах, таких как плееры или фотокамеры. Исследователи из Тайваньского института технологических исследований говорят, что память RRAM объединяет в себе преимущества двух форматов и почти не имеет их недостатков.

Разработчики ожидают, что первые модули RRAM появятся на рынке через несколько лет. "Пока мы находимся на ранней стадии разработки. Сейчас по скорости работы мы не можем конкурировать с DRAM", - говорит Тсай Минг Жинн, директор исследовательского направления наноэлектроники в Тайваньском институте. По его словам, ранее у ученых в разных странах уже были попытки объединения разных форматов памяти, но ничего ценного из этого не получилось.

Дабы не повторять прежних ошибок, тайваньские исследователи намерены создать память формата RRAM более похожей на экспериментальные модули памяти PRAM (Phase-change memory), разработки которой также ведутся на Тайване. Выход PRAM на рынок ожидается во второй половине этого года. Минг Жинн говорит, что в PRAM-памяти есть преимущества, но ее довольно сложно производить в промышленных масштабах.

"Преодолеть все эти проблемы сложно, но возможно. Сделать это мы собираемся при помощи памяти RRAM. Сейчас требования к качеству производства очень высоки, поэтому к разработке новой технологии мы подходим серьезно", - говорит он.

RRAM является более современным форматом в сравнении в флеш-памятью формата NOR, вместе с тем, разработчики подчеркивают, что сферы применения данных разновидностей памяти будут различаться. Новинка обладает расширенным ресурсом, позволяющим гарантировать более 100 миллионов циклов записи, причем память будет энергонезависимой и расчетное время продолжительности хранения данных превышает 10 лет.

По словам тайваньских инженеров, первые образцы памяти нового формата будут использованы во встроенных устройствах. "Чипам памяти для встроенной электроники сейчас проще конкурировать на рынке встроенных решений, где одна центральная микросхема выполняет роль сразу нескольких чипов. До сих пор здесь в основном использовались преимущественно модули DRAM", - говорит Тсай Минг Жинн.

Первые образцы памяти RRAM будут хорошо подходить для использования в SIM-картах и портативной электронике, требующей работы с большими объемами данных. На сегодня в институте произведены экспериментальные образцы модулей памяти емкостью всего 1 Кб. Создаются такие модули на базе 8-дюймовых подложек.