Исследователи из Московского физико-технического института совместно со специалистами из Института радиофизики и электроники им. В. А. Котельникова РАН и Международной ассоциированной лаборатории LIA LICS разработали новый тип оперативной памяти. Её главной особенностью является в десятки тысяч раз более низкое потребление энергии по сравнению с аналогами. В основе новой памяти лежит использование магнито-электрических ячеек, состоящих из пьезоэлектрической подложки и слоистой структуры.

«Мы в своей работе демонстрируем магнито-электрическую ячейку памяти. Она позволит снизить затраты энергии на запись и чтение в десятки тысяч раз», — говорит Сергей Никитов, руководитель исследования.

Применяемые в новой «магнитной» памяти пьезоэлектрическая подложка деформируется при подаче на неё напряжения, но в то же время и вырабатывают напряжение при деформации. Разработанная исследователями слоистая структура имеет сильную магнитоупругость. Ячейки такой памяти способны сохранять своё состояние, тогда как в динамической оперативной памяти значения нужно постоянно обновлять, так как они теряются при отключении от сети.

Исследователям удалось создать прототип размером около миллиметра. По словам члена команды Антона Чурбанова, на основе этой технологии можно создавать нанометровые ячейки, идентичные по размерам тем, что используются в обычной оперативной памяти.

О коммерческом использовании новой разработки пока речи не идёт.