23 Ноября 2024
В избранные
Сделать стартовой
Подписка
|
|
|
|||||
|
Технологии
Текст: Дмитрий Сафин Специалисты Sharp сумели увеличить эффективность преобразования энергии в фотогальваническом элементе до 35,8%. По данным японской компании, это значение является рекордом в классе элементов, не использующих концентраторы солнечного излучения. Новый фотоэлемент составлен из трех полупроводниковых слоев. Чаще всего нижний слой в подобных конструкциях делают германиевым, поскольку это упрощает производство. В то же время германий не позволяет добиться высокой эффективности; японские инженеры отказались от этого материала, заменив его арсенидом индия-галлия InGaAs. Сформировав слой InGaAs с высокой степенью кристалличности (упорядоченности структуры), разработчики расположили поверх него слои арсенида галлия GaAs и фосфида индия-галлия InGaP. В результате эффективность преобразования энергии, которая в предыдущих моделях элементов Sharp составляла 31,5%, повысилась до 35,8%.
Рекомендуем
Обсуждение новости
| ||||||
|
||||||
|
||||||
Наш канал в Telegram
вверх
Пишите нам