|
|
|||||
Технологии
Сегодня компания IBM анонсировала усовершенствованную версию одного из главных компонентов, используемых в мобильных телефонах и других беспроводных устройствах. Это усилитель мощности - крохотная микросхема, изготовленная по кремниево-германиевой технологии, которая, как ожидается, поможет радикально уменьшить стоимость и размер подобных персональных электронных устройств. Анонсированные сегодня компоненты стали первыми радиочастотными усилителями мощности, изготовленными на основе кремниево-германиевой (SiGe) технологии, разработанной IBM. "Это настоящая революция в данной категории продуктов, - говорит д-р Бернард Мейерсон (Bernard Meyerson), вице-президент Центра коммуникационных ресурсов и разработок (Communications Resources and Development Center) в составе подразделения IBM Microelectronics. - Некоторые эксперты считали, что подобные микросхемы вообще невозможно выполнить по кремниево-германиевой технологии, и что для этих целей годится только значительно более дорогостоящий арсенид галлия (GaAs)". Кремниево-германиевые микросхемы выделяют значительно меньше тепла, чем микросхемы на основе GaAs, благодаря великолепной теплопроводности SiGe, что позволяет существенно повысить термостойкость устройств. Кроме того, технология BiCMOS на кремниево-германиевой основе позволяет реализовать множество важных функций на одном чипе, усилители мощности можно сделать сверхминиатюрными, снизив общий объем, занимаемый ими на "материнской плате" устройства. Новые усилители мощности IBM, по заявлению представителей компании, дадут новый импульс разработке портативных беспроводных устройств связи, оснащенных целым рядом важных функций, имеющих большое значение для OEM-поставщиков беспроводных устройств. Среди преимуществ использования кремниево-германиевой технологии называют высокий коэффициент передачи, высокий КПД суммирования мощности и низкий уровень тока в режиме ожидания, а также показатели прочности, превосходящие требования, предъявляемые сегодня в индустрии. Сегодня анонсируются три SiGe-усилителя мощности, образующих единое семейство:
IBM 2022 TDMA IS-54 - предназначен для устройств, работающих в стандарте сотовой связи TDMA (Time Division Multiple Access - стандарт множественного доступа с временным разделением каналов) 800 МГц; Все три усилителя производятся IBM по технологии BiCMOS 5AM 0,35-мкм. Новые микросхемы будут производиться на заводе IBM в Барлингтоне, штат Вермонт. Усилитель мощности IBM 2022 TDMA выпущен на рынок, IBM 2017 PCS CDMA на сегодняшний момент существует в виде прототипа, а прототип усилителя мощности IBM 2018 CDMA появится в следующем месяце.
Рекомендуем
Обсуждение новости
|
|