25 Ноября 2024
В избранные
Сделать стартовой
Подписка
|
|
|
|||||
|
Технологии
Исследователи сообщают, что они разработали технологию для осаждения гладких, ультратонких металлических пленок на оксидных подложках. С применением этой технологии меньше энергии будет тратиться для изменений магнитных сигналов, которые образуют основу памяти компьютера. Металлы, откладываемые на оксидах, чаще имеют форму бугристых пучков, а не гладких слоев. Однако Скотт Чамберс (Scott Chambers) и его коллеги по Национальной Лаборатории Сандра смогли нанести кобальт слой за слоем на сапфирную подложку (сапфир - форма оксида алюминия). "Многие передовые технологии основаны на взаимодействии между металлами и оксидами", - сказал Чамберс. Особенное влияние эти исследования могут оказать на развитие нового вида оперативной памяти, называемой магнитной памятью с произвольным доступом, или MRAM, в которой данные будут храниться на слоистой конструкции, содержащей металл и оксид. Этой памяти будет все равно, подается питание или нет, поэтому компьютеры будут всегда загружены. Ожидается, что устройства MRAM появятся на рынке в следующие несколько лет.
Рекомендуем
Обсуждение новости
| ||||||
|
||||||
|
||||||
Наш канал в Telegram
вверх
Пишите нам