Новая тонкопленочная технология поможет сделать важные шаги в разработке магниторезистивной памяти (MRAM), которая использует для хранения информации магнитные свойства материала, а не электрический заряд, дешевле и быстрее традиционных типов памяти и не теряет данные при отключении питания.

Металлы на оксидных поверхностях имеют тенденцию образовывать не гладкий поверхностный слой, а неровные скопления. Группа специалистов под руководством Скотта Чамберса (Scott Chambers) смогла нанести слои металла кобальта на сапфировую подложку (сапфир химически представляет собой оксид алюминия) с помощью гидроксильных молекул, реакции которых с веществом подложки позволяют обеспечить необходимую скорость роста ровной поверхности, передает РБК Cnews.

"В промышленном отношении осуществление данного процесса сводится, например, всего лишь к воздействию на оксид алюминия водяных паров под низким давлением перед окончательным нанесением слоя кобальта", - пояснил г-н Чемберс. При этом разработчики технологии подчеркивают, что процесс (протекающий, кстати, при комнатной температуре) позволяет наносить не только кобальт на сапфир, но применим и к широкому ряду металлов и оксидов.

"Многие современные технологии требуют надежного взаимодействия между металлами и оксидами, - отметил г-н Чемберс. - Данные открытия могут дать промышленности, нуждающейся в совершенствовании свойств материалов, используемых в производстве микроэлектронных устройств и сенсоров, новый, молекулярный, подход".

Особенную роль сделанное открытие может сыграть в разработке новой полупроводниковой магниторезистивной памяти (MRAM), использующей для хранения бита информации не электрический заряд, а магнитное состояние - данные будут храниться в металл-оксидных сандвич-структурах даже без подачи питания. Данное свойство магниторезистивной памяти позволит, в частности, практически мгновенно загружать компьютеры. Ожидается, что устройства на базе MRAM смогут появиться на рынке уже в ближайшие годы.