"Данное исследование является развитием нашей работы над лазерами на основе микроволокон ZnO, - заявил Пейдон Ян. - Устройства на базе GaN имеют характерное сечение, составляющее 100 нм. Ранее они представляли собой двумерные структуры, но теперь удалось создать одномерные лазеры на основе нановолокон".

GaN представляет собой полупроводник с широкой запрещенной зоной, служащий основой для всех светодиодов и лазерных диодов, спектр излучения которых лежит в ультрафиолетовом диапазоне. Структуры из нановолокон обычно не давали заметного излучения, однако благодаря использованию современных технологий нанопроизводства удалось зарегистрировать излучение как от нановолокон GaN, так и от пленок из этого материала.

Для индуцирования лазерного излучения нановолокнам из GaN необходима оптическая накачка четвертой гармоникой импульсного оптического параметрического усилителя (290-400 нм). Под его действием в нановолокне формируется "плазма" из дырок и электронов, при рекомбинации которой в запрещенной зоне индуцируется ультрафиолетовое излучение с длинами волн 360-400 нм. При этом нановолокно является и полостью Фабри-Перо, и средой, в которой происходит усиление излучения. Концы волокна служат зеркалами, необходимыми для генерации вынужденного излучения.

Повышенная яркость участков вблизи концов волокна, по Янгу, свидетельствует о том, что нановолокно обладает хорошими волноводными свойствами. По мере роста энергии возбуждения наблюдается смещение длины волны излучаемого света в красную область. По мнению разработчиков, миниатюрный лазер может найти применение, в частности, в устройствах хранения данных большой емкости.