25 Ноября 2024
В избранные Сделать стартовой Подписка Портал Объявления
Технологии
В компании Xerox создали перспективный пластиковый транзистор
10.12.2002
В начале декабря компания Xerox сообщила о новом достижении в области разработки перспективных полупроводниковых материалов. Результаты работы по созданию нового полимерного полупроводника были представлены на конференции Общества материаловедения научным сотрудником канадского исследовательского центра Xerox Беном Оном. Он является достаточно известным изобретателем - на его счету уже 110 патентов.

Разработанный в исследовательском центре Xerox материал представляет собой полимер на основе тиофена. Важнейшей его особенностью является то, что он устойчив к воздействию кислорода воздуха, тогда как большинство других органических полимерных полупроводников теряют под его действием свои свойства. Добиться большей стабильности своего полимера Ону и его коллегам удалось за счет подробного анализа функций различных структурных элементов полимера.

В результате был получен материал с замечательным набором свойств. Подвижность электрона в нем составляет 0,12 см2 на вольт в секунду. Соотношение токов в открытом и закрытом состоянии транзистора составляет 106-107, что является очень хорошим результатом. Еще одно преимущество новой разработки Xerox заключается в том, что сборка транзисторов из нового материала возможна при помощи достаточно простой технологии в обычных условиях. Не требуется никаких повышенных температур, сверхчистых помещений и т.д.

На практике новый материал можно использовать в самых различных областях: от электронных меток для товаров в магазинах до гибких компьютерных дисплеев. Впрочем, до практического применения новых разработок Xerox пока достаточно далеко.


 
Количество просмотров:
231
Отправить новость другу:
Email получателя:
Ваше имя:
 
Рекомендуем
Обсуждение новости
 
 
© 2000-2024 PRESS обозрение Пишите нам
При полном или частичном использовании материалов ссылка на "PRESS обозрение" обязательна.
Мнение редакции не всегда совпадает с мнением автора.