Как заявили разработчики, им удалось создать первый опытный образец кристалла высокой интеграции (LSI - Large Scale Integration), представляющий собой модуль памяти емкостью 1 Мб.

Размер ячейки новой памяти DRAM составляет 1,1*10-13 м?. Специалисты полагают, что на сегодняшний день такая ячейка является наиболее миниатюрной из всех представленных - на площади 4,9*10-5 м? можно уместить 256 Мб памяти.

Кроме этого, благодаря использованию специальной конденсаторной структуры стало возможно значительно уменьшить массу устройства. При этом скорость переключения отдельного транзистора составляет 0,72 (для n-канального транзистора) и 1,41 (для p-канального транзистора) пикосекунды, а рабочее напряжение - 0,85 В.

Масштабное использование новой технологии ожидается в конце марта 2004 года, передает CNews.

Что касается коммерциализации процесса - скорее всего, применение подобных кристаллов начнется при производстве различных систем, связанных с беспроводной передачей информации, где требуется высокая производительность вкупе с низким энергопотреблением.