|
|
|||||
Технологии
Специалисты компаний IBM и Infineon Technologies сделали важный шаг вперед на пути к созданию нового типа компьютерной памяти, которая позволит компьютеру загружаться почти мгновенно. IBM сообщила, что технология магнитной памяти с произвольной выборкой (MRAM) сможет заменить существующие разновидности наиболее распространенной в настоящий момент динамической памяти с произвольной выборкой (DRAM) уже в 2005 году.
Компьютер с MRAM сможет загружаться практически мгновенно. Это будет похоже на включение света, утверждает IBM. MRAM работает аналогично флэш-памяти, то есть сохраняет информацию даже в случае отключения компьютера, и сможет заменить и ее. В отличие от распространенной сейчас компьютерной памяти, MRAM использует для хранения данных не электрические, а магнитные заряды. IBM работала над созданием MRAM с 1970-х годов. Компания надеется, что уже в следующем году появятся демонстрационные образцы техники, работающей на MRAM. Память MRAM планируется использовать в основном в мобильных устройствах - КПК, сотовых телефонах и ноутбуках, поскольку новая память будет отличаться от своих предшественников более низким энергопотреблением. Аналитики полагают, что hi-tech-индустрия сейчас активно занимается поиском способов увеличить эффективность хранения памяти в карманных компьютерах и мобильных телефонах. "Я считаю, что в этой отрасли каждый отчаянно ищет технологию универсальной памяти, которая выполняла бы все функции, присущие сейчас разным типам памяти", - считает эксперт исследовательской фирмы Gartner Inc. Ричард Гордон. Разработкой MRAM также занимаются Toshiba, Motorola и NEC. При этом NEC и Toshiba ведут разработки совместными усилиями. Компании планируют, что общий объем инвестиций в разработку к весне 2005 года превысит $84,7 млн. Уже в конце этого года специалисты планируют установить производственную линию на заводе NEC, находящемся в пригороде Токио. Ожидается, что объем рынка MRAM к 2007 году вырастет до $800 млн.
Рекомендуем
Обсуждение новости
|
|