Новая технология получила название magnetic random-access memory (MRAM), или магнитное оперативное запоминающее устройство. То есть в новых модулях памяти для хранения битов информации используются не электрические, а магнитные свойства вещества. Намагниченным доменам соответствуют "единицы", а ненамагниченным - "нули". В модулях MRAM магнитный материал располагается между двумя металлическими слоями. Так как для хранения информации используется магнитное поле, то для ее сохранения не требуется постоянного электропитания, как это необходимо в современных чипах динамического и синхронного ОЗУ. Таким образом, энергопотребление памяти MRAM должно быть ниже, чем у нынешних модулей ОЗУ.

По заявлению разработчиков, компьютер с ОЗУ типа MRAM будет загружаться практически мгновенно. Чипы MRAM смогут также заменить современные модули флэш-памяти.

IBM и Infineon полагают, что пробные версии чипов MRAM будут выпущены в 2003 г., а коммерческое производство начнется только в 2004 г. Но поначалу модули MRAM будут существенно дороже нынешних чипов памяти. По прогнозам IBM, цены снизятся до "массового" уровня только лет через десять.