Память нового типа получила предварительное название MRAM (Magnetic Random Access Memory). В используемой сейчас DRAM (Dynamic Random Access Memory) запоминающими элементами являются полупроводниковые триггеры, которые требуют электропитания для поддержания заданного устойчивого состояния. Магнитные же элементы в непрерывном питании не нуждаются. Что означет, что расход электроэнергии в любых приборах, использующих MRAM (это, разумеется, не только компьютеры, но и сотовые телефоны, электроные органайзеры, цифровые камеры и пр.), существенно понизится. Но это - не самое главное. Поскольку после отключения питания вся информация будет в оперативной памяти сохраняться, при включении устройства никакая "загрузка" не потребуется, компьютер (или другое устройство) будет включаться практически мгновенно.

Суть технологии вкратце такова: между двумя магнитопроводящими слоями помещается сам элемент, изготовленный из сплава платины и кобальта, запись и чтение производится путем изменения магнитной активности. Этот тип памяти будет быстрее современных примерно в пять раз (цикл чтения - 6 нс).

Собственно, в будущих чипах памяти будет объединено сразу две новинки: во-первых, фирменная разработка IBM Interlocked Pipelined CMOS (или КМОП-схема с объединенной конвейерной обработкой, подробнее смотрите здесь) - она позволяет существенно ускорить быстродействие чипов с обычными кремниевыми транзисторами (до 4,5 Мгц). А во-вторых, будут использованы наработки Infineon Technologies, которая давно занимается магнитной памятью и имеет более чем 10-летний опыт по созданию микросхем памяти.

Странно то, что первые промышленные экземпляры MRAM от IBM и Infineon появятся только в 2004 году. Будут ли через три с лишним года характеристики этих чипов казаться такими же поразительными, как сейчас? Вряд ли. К тому же над магнитной памятью активно работает еще ряд компаний - например, Hewlett Packard, Motorola, Siemens, Philips и другие. Так что неизвестно, кто из них первым осчастливит массового пользователя.