С помощью новой биполярной кремний-германиевой технологии компании удалось создать микросхемы, скорость работы которых на 10-30% превышает быстродействие аналогичных разработок конкурирующих компаний.

Новая технология будет использоваться Infineon в высокочастотных полупроводниковых устройствах, в первую очередь, для систем связи. Перечень устройств на базе новой технологии будет включать самостоятельные полупроводниковые диоды и транзисторы, системы проводной связи с пропускной способностью до 40 Гбит/с, широкодиапазонные системы радиосвязи на частотах до 60 ГГц и др.

Для демонстрации возможностей новой технологии инженеры Infineon выпустили несколько высокочастотных микросхем на ее основе. Во-первых, это микросхема динамического делителя частоты, работающая на 110 ГГц.

По заявлениям компании, на сегодняшний день это самая высокочастотная в мире микросхема. Далее следуют статический делитель частоты, работающий на 86 ГГц и управляемый осциллятор напряжения с частотой 95 ГГц.

Помимо этих чипов, Infineon продемонстрировала и прототип законченного решения - автомобильную радарную систему, работающую на частоте 77 ГГц. В компании подчеркивают, что достигнутые показатели - не предел для новой технологии. С ее помощью можно создавать чипы с частотами до 200 ГГц.