24 Ноября 2024
В избранные Сделать стартовой Подписка Портал Объявления
Технологии
Пластиковая память лучше кремниевой?
12.11.2003
Ученые из Принстонского университета и исследовательского подразделения корпорации Hewlett-Packard HP Labs разработали новую память, позволяющую хранить большие объемы данных с помощью более дешевых в производстве материалов, чем традиционные кремниевые микросхемы. Секрет нового изобретения – вовсе не в уменьшении размеров транзисторов или создании экзотических полупроводниковых материалов. Ответ прост – это пластмасса. Новая память включает в себя пленку из пластмассы, подложку из гибкой фольги и некоторое количество кремния. Подробнее о новой технологии можно будет прочитать в завтрашнем выпуске журнала Nature.

Пластиковая память, или полимерно-ферроэлектрическое ОЗУ (PFRAM), в отличие от традиционной флэш-памяти, не является перезаписываемой - как, к примеру, и обычный компакт-диск, CD-R. Но, как подчеркивают разработчики, память из пластмассы будет более компактного размера, чем CD, она энергонезависима и обладает уменьшенным энергопотреблением, не требуя для считывания или записи мощных лазеров и приводов. К тому же, пластиковая память обладает большей плотностью записи, чем флэш-память.

По словам разработчиков, для хранения цифровых фотографий или музыки память, которую нельзя стереть, имеет свои плюсы – это своего рода «несгораемый» архив. Задача ученых – сделать новую память достаточно быстрой для хранения видеофайлов.

В отличие от флэш-памяти, пластиковую память придется покупать вновь и вновь по мере заполнения карточек. Производить ее гораздо проще, и потому в расчете на 1 МБ стоить она будет дешевле нынешней Compact Flash и SD. Кроме того, плотность хранения данных у новой памяти гораздо выше. В пластиковой памяти не используются транзисторы; данные записываются при прохождении сильного тока через полимерную плавкую перемычку, в результате чего последняя меняет свою поляризацию. Более низкие токи определяют, какие переходы будут открываться и закрываться - что на языке цифрового мира выражается в нулях и единицах, - для считывания хранимой информации.

Производство новой памяти не требует использования вакуумных камер и высоких температур, а ее слои можно просто накладывать друг на друга, отмечают разработчики. Не нужен сложный процесс фотолитографии, а то, что используется не кристаллическая подложка, позволяет более плотно укладывать слои и работать одновременно в трех измерениях.


 
Количество просмотров:
257
Отправить новость другу:
Email получателя:
Ваше имя:
 
Рекомендуем
Обсуждение новости
 
 
© 2000-2024 PRESS обозрение Пишите нам
При полном или частичном использовании материалов ссылка на "PRESS обозрение" обязательна.
Мнение редакции не всегда совпадает с мнением автора.