Последние 20 лет инженеры непрерывно уменьшали транзисторы и увеличивали их число, что служило главным источником дополнительных мега- и гигагерц.

Однако нежелательные квантовые и термодинамические эффекты рано или поздно заставят убывающую последовательность размеров оборваться. По мнению специалистов, предельная для кремния величина будет достигнута довольно скоро.

Альтернативный материал искали среди полупроводников и производных нанотрубок. Антимонид индия InSb, двухкомпонентный полупроводник, начали исследовать около двух лет назад. Эффект квантовой "потенциальной ямы" позволил в несколько раз снизить время и напряжение, необходимые для переключения содержащего InSb транзистора.

"Разогрев" новых процессоров будет небольшим. Опытные образцы потребляют в десять раз меньше энергии, чем кремниевые аналоги. К сожалению, пока для нормальной работы антимонид-индиевых транзисторов необходимы температуры не выше точки кипения жидкого азота, равной -196 градусам Цельсия.

Планируется, что серийный выпуск процессоров нового поколения Intel начнется в следующем десятилетии, а примерно через 15 лет "кремний" сойдет со сцены.