По сравнению с 60-нм техпроцессом, выпуск с соблюдением норм 51 нм позволяет, по оценке Samsung, повысить эффективность производства на 60%. Примечательны темпы, с которыми компания осваивает все более тонкие нормы: о серийном выпуске 60-нм чипов NAND плотностью 8 Гбит было объявлено всего лишь восемь месяцев назад, в августе прошлого года, а ознакомительные образцы флэш-памяти типа NAND плотностью 16 Гбит, изготовленные по более тонким нормам, были представлены в январе.

Использование 16-гигабитных чипов MLC (multi-level cell) позволит выпускать карточки памяти объемом 16 Гб. Другим выигрышем является повышение быстродействия – уменьшение норм позволило поднять скорости чтения и записи примерно на 80% по сравнению с чипами текущего поколения. В частности, скорость чтения равна 30 Мб/с, а записи – 8 Мб/с. Для сравнения – у 60-нм чипов эти показатели равны 17 и 4,4 Мб/с, соответственно.

Прирост скорости обусловлен увеличением размеров страниц: операции в 60-нм чипах выполняются над страницами размером 2 Кб, а в 51-нм чипах плотностью 16 Гб размер страницы удвоен и составляет 4 Кб. Это изменение будет учтено в аппаратных и программных средствах продуктов на базе новой флэш-памяти, которые намерена предложить компания. Речь, в частности, идет о памяти для сотовых телефонов и проигрывателей MP3. Контроллеры для карточек памяти, поддерживающие работу со страницами размером 4 Кб, уже доступны.