Спрос на микросхемы флэш-памяти типа NAND продолжает расти, что обусловлено развитием отраслей, связанных с производством цифровых портативных плееров, мобильных телефонов, карт памяти, комплектующих для ПК (например, модули Turbo Memory, SSD-диски, гибридные винчестеры и прочее). Поэтому производители, которые уже давно успешно закрепились на этом рынке, стремятся наращивать объемы выпуска NAND-микросхем, чтобы удовлетворить растущие требования своих клиентов.

Постройка новых заводов требует серьезных денежных вложений и поэтому для успешной реализации масштабных проектов во многих случаях крупные игроки рынка объединяют свои усилия. Так, в июле прошлого года, с целью реализации проекта постройки новой фабрики Fab 4 в префектуре Миэ (Япония), компаниями SanDisk и Toshiba было создано совместное предприятие Flash Alliance. Согласно условиям сделки, контрольный пакет акций (50,1%) принадлежит Toshiba, а 49,9% - SanDisk. Постройка Fab 4 была начата с августа 2006 года и завершилась в июле этого года. Общая площадь всех помещений составила 181 тыс. м², а площадь застройки – 35,5 тыс. м².

Сегодня компании Toshiba Corporation и SanDisk Corporation сообщили об открытии Fab 4, которая будет выпускать 300-мм кремниевые пластины с NAND-чипами. Запуск массового производства на новой фабрике начнется уже с декабря 2007 года, а во второй половине 2008 года месячные объемы производства достигнут отметки в 80 тыс. кремниевых пластин. При этом отмечается, что дальнейшие денежные вложения помогут довести продуктивность до 210 тыс. пластин в месяц, если это потребуется.

Вначале на фабрике будут выпускаться 56-нм микросхемы, а с марта следующего года планируется переход на 43-нм техпроцесс. Представители Toshiba полагают, что Fab 4 станет самой крупной фабрикой в мире, выпускающей 300-мм пластины с NAND-чипами.