Проблема охлаждения микросхем хорошо знакома, к примеру, тем, кто занимается оверклокингом — разгоном процессоров. Для создания экстремальных версий PC чего только не придумывают: от систем жидкостного охлаждения до внедрения в корпус ёмкостей с жидким воздухом.

Ещё бы — мощные (и быстрые) схемы хорошо греются, а их рабочая температура должна быть порядка 50-60 градусов Цельсия. При температуре в 80-100 градусов у обычных схем уже начинаются серьёзные проблемы (сбои). А температуру более 100 по Цельсию традиционная кремниевая электроника хотя и может вынести, но недолго.

На этом фоне достижение NASA выглядит феноменальным. Их экспериментальный микрочип способен работать при 650 градусах Цельсия. А в испытаниях на выносливость он непрерывно проработал целых 1700 часов при 500 градусах, что в сотню раз дольше, чем у прежних опытных разработок "горячих чипов".

Секрет, в числе прочего, в ином материале схемы. Новый чип сделан не из кремния, а из карбида кремния.

В данном случае опытный чип, размером 5 х 5 миллиметров, являет собой дифференциальный усилитель. Вообще же исследователи считают, что эта разработка откроет путь к созданию самых разных микросхем, вынужденных подолгу работать в горячих средах: вблизи камер сгорания авиационных двигателей или двигателей автомобилей, например. Это поможет проводить мониторинг процесса сгорания для лучшего управления двигателем.

Также стойкий к воздействию высокой температуры чип может найти место внутри космических аппаратов, предназначенных для спуска на Венеру.

"Это важный шаг в создании схем для жёстких условий работы, — говорит лидер насовского проекта Silicon Carbide Electronics Фил Ноедек (Phil Neudeck). — Это позволит нам поместить чипы ближе к горячим узлам, исключив тем самым лишние провода и разъёмы, ведущие к обычным датчикам".